El fabricante chino Unis (una subsidiaria de Tsinghua Unigroup) ha presentado su línea S5 de PCIe 5.0 SSDS, un fuerte contendiente para uno de los mejores SSD. La compañía (a través del itomo) afirma que las velocidades de transmisión son de hasta 14.9 GB/s, más rápido que el crucial T705 y Samsung 9100 Pro, dos de las unidades PCIe 5.0 de consumo más rápidas.
La familia S5 presenta la base S5 y el S5 Ultra, que se ajustan al factor de forma M.2 2280 y usan la interfaz PCIe 5.0 x4. Poco después de su debut en China, algunas unidades llegarán a los mercados occidentales para su revisión a través de canales en línea como AliExpress.
Los mejores SSD en el ecosistema PCIe 5.0 ofrecen lecturas secuenciales en el estadio de 13-14 GB/s, y solo las ganancias marginales de unos pocos cientos de MB/s diferencian el más rápido. El crucial T705 ocupó una posición de liderazgo en el mercado SSD, solo para ser destronado por la entrada de Samsung en el ecosistema PCIe 5.0 con sus ofertas 9100 Pro.
El Micron 4600 recientemente se unió a las filas, luciendo el Phison E26 y superando al controlador SM2508 de Silicon Motion y TLC NAND de 276 capas de Micron. La diferencia en lecturas y escrituras aleatorias se vuelve visiblemente grande a medida que Samsung y Micron han roto la barrera de 2,000k IOPS.
Unis S5 Ultra y S5 PCIe 5.0 SSD Especificaciones
|
Nombre |
Unis S5 Ultra |
Samsung 9100 Pro |
Crucial T705 |
Unis s5 |
|---|---|---|---|---|
|
Memoria flash |
Tlc nand |
Samsung tlc nand de 236 capas |
232 capa Micron TLC NAND |
Tlc nand |
|
Factor de forma |
M.2 2280 |
M.2 2280 |
M.2 2280 |
M.2 2280 |
|
Controlador |
Controlador sin nombre de 6NM |
Propietario de Samsung (Presto) |
Phison E26 |
Controlador basado en 12NM sin nombre |
|
DRACMA |
Sí |
Sí |
Sí |
No |
|
Lecturas secuenciales |
14.2 GB/s |
14.8 GB/s |
14.5 GB/s |
14.9 GB/s |
|
Escrituras secuenciales |
13.4 GB/s |
13.4 GB/s |
12.7 GB/s |
12.9 GB/s |
|
Lecturas aleatorias |
1.700k |
2.200k |
1.550k |
1.800k |
|
Escrituras aleatorias |
1.600k |
2.600k |
1.800k |
1.700k |
La base UNIS S5 puede repartir lecturas y escrituras secuenciales de 14.9 GB/sy 12.9 GB/s, respectivamente, derribando todas las demás ofertas en este territorio. Las lecturas y escrituras aleatorias también se encuentran en un impresionante IOPS de 1.800k y 1.700k IOPS. A pesar del aparente empuje, sorprendentemente utiliza un controlador de 12NM más antiguo y sin nombre y presenta un diseño sin DRAM. En el lanzamiento, el S5 estará disponible en capacidades de 1 TB y 2 TB sin precios especificados.
El S5 Ultra se actualiza a un diseño de doble PCB e incluye un caché DRAM. Se dice que emplea un controlador de 6 nm, que creemos que es probable que el movimiento de silicio SM2508, también se encuentre en el Micron 4600. Dejando a un lado las especificaciones, la secuencial se lee y escribe de arriba en un relativamente más lento 14.2 GB/sy 13.4 GB/s, respectivamente, mientras que las lecturas y escrituras aleatorias caen a 1,700K IOP y 1,600K IOP. El S5 Ultra debutará solo en variantes 2TB y 4TB, lo que podría decepcionar a los consumidores presupuestarios.
A pesar de ser más lento, el S5 Ultra probablemente será mejor para las máquinas de productividad debido a la inclusión de un caché DRAM. Ambos SSD se enviarán con un disipador de calor pasivo de grafeno de 1 mm, aunque las soluciones de enfriamiento activas manejarían mejor el calor generado por estos SSD, especialmente a velocidades tan altas. En cualquier caso, se dice que estos SSD alcanzan los mercados chinos de comercio electrónico en breve. Solo podemos verificar estas velocidades reclamadas a través de pruebas independientes adecuadas, ya que las métricas de primera parte a menudo son sesgadas.
